2020年10月29日，國內首個MicroLED研究院正式成立。研究院由利亞德、晶元光電、利晶微電子聯合發起，旨在加速推進Micro LED晶片的開發與應用，Micro LED產品驅動技術和系統方案、巨量轉移技術以及表面防護技術等的研究，從而高效推進Micro LED技術的攻關和落地，引領Micro LED顯示技術新紀元。

中共無錫市委書記黃欽與利亞德董事長李軍共同為Micro LED研究院揭牌

研究院揭牌現場，由利亞德聯合晶元光電、利晶共同撰寫，Micro LED研究院系列行業技術白皮書的第一卷——《Micro LED顯示技術和應用白皮書》（以下簡稱“《白皮書》”）也正式發布。《白皮書》旨在闡釋Micro LED的定義和標準，為行業可持續發展提供導向支撐。利亞德集團首席運營官姜毅通過直播現場解讀白皮書內容亮點。

利亞德首席運營官姜毅現場解讀《Micro LED顯示技術和應用白皮書》

掃描圖中二維碼，下載《白皮書》全文

亮點一：定義Micro LED

定義Micro LED，明確相關標準，不但有助于大眾認知，其實也是促進行業向下一代顯示技術發展，從而推動我國LED顯示應用產業轉型升級的基本要求。

實際上，Micro LED技術已經發展了近二十年。2012年，Sony展出了Micro LED的55英寸高清LED電視樣品，這是Micro LED作為商業化產品第一次出現在大眾視野，也讓大眾看到了Micro LED大規模商業化的可能性。2016年后，Micro LED進入高速發展階段。直到2020年7月，利亞德全球首發四款標準化2K Micro LED（最小點間距0.4mm）商用顯示產品，標志著Micro LED大尺寸商用顯示時代的到來。

因此，在充分考慮產業鏈各端實際量產能力的基礎上，《白皮書》根據行業發展的現狀和前景預判，對Micro LED技術界定出相應標準。

Mini LED顯示：芯片長寬均在100μm~300μm之間的LED，采用普通或巨量轉移方式及無焊線工藝實現的LED顯示產品。

Micro LED顯示：芯片長寬任意一邊小于100μm的LED，采用巨量轉移方式和無焊線工藝實現的LED顯示產品。

而確定是否屬于Micro LED顯示產品的關鍵維度包括以下三點：Micro LED芯片、巨量轉移技術、驅動技術。

亮點二：Micro LED顯示技術解析

我們認為每一次顯示技術的躍遷都是行業競爭格局的重新洗牌，因此把握顯示創新的驅動因子和未來趨勢具有重要意義。通過《白皮書》的梳理，我們可以總結出顯示技術發展的兩點規律：畫質（分辨率、色彩、響應速度、對比度等）與形態（輕薄、可撓等）決定技術替代的可行性。

消費者的這兩大需求，是LCD 替代 CRT、OLED 崛起、 Micro LED 充滿想象空間的核心驅動力；成本決定技術替代的滲透率。無論是 LCD 還是 LED 背光，其能夠大范圍的替代早期技術都基于成本的快速下降；同理，隨著技術成熟，成本下降，Micro LED技術將帶來巨大的成長空間。

對比LCD、OLED等其他顯示技術，Micro LED顯示技術有三大優勢：響應速度達到納秒級、PPI到1500以上、應用場景由上至下。

Micro LED無論從LED芯片、工藝實現方法和驅動技術來看，均與傳統LED顯示技術存在顯著差別

首先是LED芯片。有別于傳統正裝芯片和Mini LED芯片，Micro LED芯片尺寸更小，此處不再贅述。

再次是工藝實現方法。Micro LED顯示的幾種實現方式：

COB，即Chip on Board，顧名思義，就是將LED芯片直接固晶至顯示模組板，省去先行封裝流程；此處的模組基板，可以是FR4基材，也可以是BT基材，甚至可以是柔性PI、SI驅動板等。COB的優勢是，免除封裝步驟，工藝流程縮短，理論而言可節省基板材料費，但實際現狀卻是，FR4基板無法承載Micro LED芯片，而多層BT板制作困難，成本居高不下，柔性板和玻璃基板技術仍在研發中。此外，因為混BIN困難，COB的墨色和顏色一致性仍需進一步改善。

COG，即Chip on Glass，與COB相同，COG是指將LED芯片直接固晶到玻璃基板，利用TFT驅動實現Micro LED顯示。

封裝體，即先將Micro LED封裝成燈，再將燈貼片至模組基板。這種實現方式的優勢是，可以對封裝體進行篩選混裝，整屏一致性較好。

再次是巨量轉移技術。無論是上述哪種方案，都需要將Micro LED從藍膜轉移固晶至基板，對于普通LED，可采用Pick-place的機械轉移方法；但轉移小于100μm 的LED對傳統固晶方法的精度和良率都是不小的挑戰；如果說未剝離襯底的Micro LED還勉強可以采用傳統轉移方法，那襯底剝離后的LED則完全無法采用該技術轉移。隨著LED芯片尺寸越來越小，可實現的顯示屏像素密度越來越高，單位面積LED數量成倍增長，機械轉移方法的效率和良率無法保證，于是業界提出Micro LED的巨量轉移技術。

所謂巨量轉移，即每次可轉移上萬、數十萬乃至數百萬顆LED芯片至承載基板，轉移的效率和精度得到有效提升。

最后是Micro LED的驅動。高密度的LED必然需要更多的驅動芯片，因此如何降低顯示屏功耗，提升顯示質量，也是Micro LED顯示與小間距顯示的差異之處。

亮點三：Micro LED顯示應用場景

任何技術和產品的出現都不是憑空產生的，是市場需求使然。

正如當年的小間距顯示產品。雖然開始其成本很高，但是隨著研發和上游原材料使用方面不斷加大技術投入，現在的小間距產品比原有替代產品的價格更低。這個成本降低需要一個過程，市場空間會隨著成本下降越來越大，Mini/Micro LED顯示產品一定也會走出小間距這樣的成本下降、市場空間逐步打開的勢頭，且其未來潛在市場比小間距市場規模有幾倍甚至幾何倍數的擴大。

【Mini LED背光應用】LED背光源應用是LED下游市場重要組成部分，過去曾是LED行業高速發展的主要推動力，具體主要包括手機背光、液晶電視背光、筆電背光、顯示器背光等。2010-2013年，在海茲定律驅動下，LED亮度提升、價格下降，LED背光滲透率迅速提升，市場規模擴大。2013 年LED背光市場出現頂峰，達到 50億美元左右市場規模。2013 年后LED背光出現飽和，且由于產能周期導致低價化嚴重，市場規模大幅下滑。加之OLED以及小間距LED對LED背光產生替代效應，LED背光市場逐步萎縮。但2018年下半年，隨著 Mini/Micro LED背光領域商業化進程加速，助推 LED背光市場規模回暖。

2019 年下半年，Mini LED首先應用到了電競顯示器和電視領域；2020年開始，蘋果屢傳要在中尺寸產品上導入Mini LED（背光）顯示器，這些應用都有利于 Mini LED 加速滲透，帶動整體 Mini LED 產業鏈發展。

據LEDinside研究報告預測，下一代Mini LED背光技術將是各家廠商的開發重點，預估至2023年Mini LED市場規模達10億美元。Yole Research數據顯示，全球Mini LED顯示設備將從2019年的324萬臺增長至2023年的8070萬臺，年復合增長率高達90%。

【Micro LED自發光應用】Micro LED自發光的應用有望分為三個階段進行。目前Micro LED 處于應用的第一階段，主要用于戶外或公共顯示的超大尺寸解決方案，這是由于Micro LED的拼接能力好于LCD，且商顯的價格的敏感度低，可以承受高成本；第二階段，Micro LED 將發揮高刷新率、高對比度、極致輕薄化的特性，將應用范圍可拓展至 AR、VR 等特定應用領域；第三階段，Micro LED 將開始滲透到電視等大眾消費型電子市場。

近年來，由于超高清電視的普及和 8K 電視的逐漸推廣，對 LED 顯示屏也提出了更高解析度的需求，傳統的 LED 顯示屏采用普通正裝LED及單像素封裝的形式，目前其主要應用在像素間距大于1mm 以上的顯示產品中。正裝LED芯片面積、焊線距離和封裝尺寸等因素，限制了傳統方案在p1.0以下顯示產品中的應用，這為Micro LD提供了廣闊的應用空間。

Micro LED 顯示的出現，在一定程度上是對傳統應用市場的更新升級。此外，其在新興市場的開拓方面也體現了極強的優勢，在大尺寸商用顯示領域，尤其是100寸以上商用顯示屏相比LCD有著無需背光、低功耗及抗反射防眩光的優點，而傳統LCD顯示面板隨著尺寸的變大，工藝難度成倍增加，良率很低。若能進一步縮小Micro LED尺寸，降低成本，并能實現高效的大規模裝配，Micro LED在大尺寸商用顯示領域將更具備價格優勢，從而全面取代LCD；另一方面，Micro LED是自發光技術，在色彩表現力上遠遠優于LCD，并能實現DCI-P3色域和HDR顯示，這為Micro LED大尺寸商顯進入家庭影院打下堅實基礎。

亮點四：Micro LED顯示技術發展趨勢

隨著5G+8K超高清智能微顯示時代的到來，Micro LED顯示技術發展趨勢主要為以下三點：

【趨勢一：Micro LED芯片的發展】MicroLED未來的發展趨勢必然是無襯底及尺寸越來越小。像素材料成本不再是Micro LED顯示系統的最大組成部分。

【趨勢二：玻璃基板技術（TFT）】玻璃基板將很可能是Micro LED技術繼續進步的“絕配”：玻璃基板將與超微LED晶體、COB和倒裝、巨量轉移共同組成下一代獨立顯示屏和新一代液晶顯示背光產品進步的“四梁八棟”。

【趨勢三：量子點Micro LED顯示】基于量子點的Micro LED方案，即將量子點作為色轉換介質，采用藍光或者紫外LED激發，實現Micro LED全彩顯示。

顯示技術推動者——利亞德

誠然，任何前沿技術的成功，都需要跨過無數的困難甚至是穿越無人區。而往往新技術、新產品的起始之處都是依靠行業龍頭企業推動發展起來。

Micro LED量產基地正式投產背后，是利亞德人長達數年來持續不斷投入的成果。利亞德很早就開始了對Micro LED技術的研發和儲備，其中遇到的最大苦難與挑戰有：芯片技術、巨量轉移技術、驅動IC技術和檢測維修。

在此過程中，利亞德充分發揮供應鏈優勢，攜手產業鏈上下游合作伙伴，不斷突破技術壁壘，并累積了幾十項驅動技術、Micro LED工藝技術核心發明專利和國際專利，以實際行動推動Micro LED顯示技術的產業化進程。

據了解，利亞德與晶元光電多年聯合研發，在Micro LED芯片技術、巨量轉移技術方面取得突破性進展；2020年5月利亞德聯合國際知名面板驅動廠家開發的新一代自主知識產權Micro LED驅動芯片，實現規模量產并應用；而隨著Micro LED顯示產品需求的不對增加，利亞德與參股公司Saphlux也在不斷加深合作，加速推進全球首款NPQD Micro LED顯示屏的開發。

從全彩LED顯示屏的誕生，到小間距LED電視的發布，再到今日引領Micro LED，利亞德的每一步都致力于“讓世界看見”，書寫歷史的同時創造未來！